tx2440a與tq2440a開發板使用核心板完全相同
有過51單片基礎的同學應該都會看懂下圖，先看下圖，對實驗板儲存器分布有乙個整體印象：
s3c2440儲存器概述：
1、s3c2440a的儲存器管理器提供訪問外部儲存器的所有控制訊號
2、27位位址訊號、32位資料訊號、8個片選訊號、以及讀/寫控制訊號等
3、總共有8個儲存器bank（bank0—bank7）
bank0---bank5為固定128mb
bank6和bank7的容量可程式設計改變，可以是2、4、8、16、32、64、128mb
最大共1gb
4、bank0可以作為引導rom
其資料線寬只能是16位和32位，其它儲存器的資料線寬可以是8位、16位和32位
5、7個固定儲存器bank(bank0-bank6)起始位址
bank7的開始位址與bank6的結束位址相連線，但是二者的容量必須相等
6、所有儲存器bank的訪問週期都是可程式設計的
7、支援sdram的自重新整理和掉電模式
8、支援大小端（軟體選擇）
nandflash啟動： om1=0 om0=0
norflash啟動： om1=0 om0=1
開發板硬體：
tq2440a開發板使用的sdram：
型號：k4s561632（兩片）
大小：4m * 16bit * 4banks * 2片= 512 bit = 64m 位元組
資料寬度：32 bit
sdram儲存區分布：
0x3000_0000~0x3100_0000程式**區、文字常量區
0x33ff_0000~0x33ff_4800堆區
0x33ff_4800~0x33ff_8000棧區
0x33ff_ff00~0x3400_0000偏移中斷向量表
sdram配置暫存器：
大小：2m
資料寬度：16bit
連線在bank0上，片選訊號ngcs0
位址範圍：0x0000_0000---0x0020_0000
特點：
線性定址
可直接按位址進行讀寫操作
寫操作之前需進行擦除操作
寫入、擦除速度較慢，讀取速度較快，單位密度低、成本較高
nand flash(k9f2g08)
非線性定址
讀操作，一次必須讀乙個扇區（512位元組）
寫操作，可按指定位址直接寫入
寫之前必須進行擦除操作
單位密度高、成本低、擦除速度快
儲存空間組織：（256m＋8m）×8bit
資料空間： 2planes×1kblocks×64pages×2048byte
暫存器空間： 2planes×1kblocks×64pages×64byte
自動程式設計和擦除
頁程式設計：（2048＋64）byte
塊擦除：（128k＋4k）byte
2112byte 頁讀取操作
nand flash 啟動方式：
1、2440內部有乙個叫做「起步石（steppingstone）」 的 sram緩衝器
2、系統啟動時nand flash儲存器的前面4k位元組被自動拷貝到steppingstone中
3、steppingstone被對映到ngcs0對應的bank0儲存空間
4、cpu在steppingstone的4-kb內部緩衝器中開始執行引導**
5、引導**執行完畢後，自動跳轉到sdram執行
管腳配置：控制暫存器：
nand flash 操作步驟：
1、通過nfconf暫存器配置nandflash；
2、寫nandflash命令到nfcmmd暫存器；
3、寫nandflash位址到nfaddr暫存器；
4、寫資料到nfdata，或從nfdata讀資料；
5、在讀寫資料時，通過nfstat暫存器來獲得nand flash的狀態資訊。應該在讀操作前或寫入之後檢查r/nb訊號（準備好/忙訊號）
6、在讀寫操作後要查詢校驗錯誤**，對錯誤進行糾正
命令字：
定址：
對於k9f1208(64m)
block address 塊位址 a[25:14]
page address 頁位址 a[13:9]
column address 列位址 a[7:0]
a8是halfpage pointer
被讀命令00h設為低電平 訪問a區（0～255byte）
被讀命令01h設為高電平 訪問b區（256～511byte）
50h訪問c區（512～527byte）
TQ2440裸板燒寫步驟
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