hanming,rs,bch —— nand flash中常用的糾錯方式
因為快閃儲存器中會有出錯的可能，如果沒有使用ecc模組，讀出的資料和寫入的資料會有不匹配的可能，也許乙個檔案中只有一兩個bit不匹配，這也是不能容忍的。相對來說slc中出錯概率比較低，所以使用乙個糾錯能力不強的hanming碼就可以了，在mlc中hanming碼就顯得力不從心了，需要糾錯能力更強的rs或者bch糾錯方式了。
hanming碼原理演算法都不算複雜，網上應該都能找到hdl**。
rs（reed-solomon）應用也非常廣泛，按多位的組合編碼，而bch按位編碼，比如在nand flash中某個位元組應該是0x00,但是從nand flash讀出卻是0xf0; rs只認為出現了乙個錯誤，而bch卻認為出現了4個錯誤。rs方式有著不錯的突發隨機錯誤和隨機錯誤的能力，算是兩者的折中。bch擅長處理隨機錯誤，由於nand flash自身的特點，出現隨機錯誤的概率更大一些，所以在mlc中目前應用最多的還是bch方式。
大家知道即使是校驗錯誤如奇偶校驗或者crc校驗都需要在原始資訊資料的基礎上增加一些額外的資料。能夠糾正錯誤的ecc需要額外的資料空間儲存糾錯碼生成的校驗資料。所以在nand flash中page的1k資料並不是1024byte，大多數是1024＋32byte, 有的是更多的額外空間；額外空間越多意味著可以使用糾錯能力越強的ecc，因為對於同一ecc演算法糾錯能力越強需要的額外空間越大。
對於bch演算法
目前通常以512byte或者1024byte為單位處理，因為bch按位處理資料，所以是4096bit或者8192bit,這裡的4096/8192bit是原始資料，bch需要生成一定的校驗資料。下面簡要介紹下原理。
設最大糾錯能力為t
如果選用4096bit的原始資料長度，則模式為bch（8191，8191－13×t，t,13)
如果選用8192bit的原始資料長度，則模式為bch（16383，16383－14×t，t，14）
校驗資料長度就是13×t，或者14×tbit
所以平均1024＋32byte的mlc 大多建議使用8bit/512byte ecc
平均1024＋45byte的mlc大多建議使用24bit/1024byte ecc, 此時需要14×24bit＝42byte的檢驗資料空間
以8bit/512byte bch方式的ecc為例，控制器寫資料到nand flash時，每512byte資料經過bch模組就會生成13byte的校驗資料（當然剩下的16－13＝3byte也可以作為某種用途的資料,可以任意使用0－3byte而不會改變ecc的使用），這些資料一起寫入到nand flash中。控制器從nand flash中讀取資料的時候需要將原始資料和校驗資料一起讀出經過bch模組，bch模組計算伴隨矩陣首先可以判斷出是否出現了錯誤，如果出現了錯誤需要計算錯誤位置多項式，然後解多項式，得到錯誤位置（目前主要使用chien-search方法），因為是位錯誤，找到錯誤的位置以後取反以後就是正確的資料。只要是錯誤個數小於等於8，bch都能夠找到錯誤的位置，但是如果錯誤個數超過了8，對於bch來說已經沒有辦法糾正錯誤了，只能報告出現了不可以糾正的情況。
NAND Flash中常用的糾錯方式
hanming,rs,bch nand flash中常用的糾錯方式 因為快閃儲存器中會有出錯的可能，如果沒有使用ecc模組，讀出的資料和寫入的資料會有不匹配的可能，也許乙個檔案中只有一兩個bit不匹配，這也是不能容忍的。相對來說slc中出錯概率比較低，所以使用乙個糾錯能力不強的hanming碼就可以...
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