掩模rom有極好的效能，但它不能被再程式設計，也就是說不能公升級程式。帶uv eprom的mcu
通常有兩種方式：一種是帶石英窗的陶瓷封裝，可重新擦除後再程式設計。另一種是大量生產的
標準塑料封裝，也稱為otp（one-time programmable只能程式設計一次）uv eprom 不方便的地
方是：程式設計的時候需要高壓；一次只能寫入乙個字或乙個位元組，導致整個晶元的程式設計需要很
長時間。即使是可擦除的版本也只能被程式設計百來次，進行擦除操作時，需要在非常強的紫外
線下放置20－30分鐘。
sram也在一些需要快速讀寫或頻繁公升級的微控制器中作程式儲存器。如賽普拉斯的usb
2.0微控制器c7y68013。sram也被達拉斯半導體的加密型微控制器所用，因為在防破解場合
需要更短的擦除時間。
更先進的eeprom比uv eprom有一些進步：可在數百或數千個週期內再次程式設計；通常用芯
片上的充電幫浦電路產生高壓；很快可以程式設計完畢。對eeprom的更進一步的發展是快閃儲存器(flash
eeprom)，它在現代的微控制器和智慧卡中是主流的儲存器。它提供了更快的程式設計時間，且
可以按塊來擦除，節省了很多時間；並且可以被擦寫數萬次。大部分的現代微控制器將快閃儲存器
作為程式儲存器，這就可以現場公升級**而無須昂貴的燒錄器。
有種方法是把sram和eprom整合在一起，那就可以達到快速的讀寫時間，且非易失。但
它太貴，只在小部分的智慧卡和asic中有應用。
每種儲存器都有優勢和不足，硬體設計師根據需求來取捨。普通的微控制器在同一晶粒
上有不同的儲存器，如sram和eprom用在otp pic微控制器中。sram，掩模rom和eeprom用在
飛思卡爾mc68h05微控制器中。
cpld中，主要用eprom，eeprom和快閃儲存器。fpga大多是基於sram的，也有公司提供反熔絲
和快閃儲存器的非易失fpga。反熔絲是一種特殊的otp儲存器，用於將晶元內金屬線之間的互聯進
行程式設計。這些互聯很小，約100奈米寬，很難確定它們的狀態。基於反熔絲的技術，提供了
很高的安全性。
後面講解的各種破解方法真是奇特，居然開啟封裝等方法，真是大開眼界!~
2012.8.14
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