矽穩壓二極體（簡稱矽穩壓管）實質上是乙個矽晶體二極體。穩壓二極體的例項和管子的符號如圖z0113所示。
1．二極體的擊穿現象
由二極體的伏安特性可知，當加於它兩端的反偏電壓超過反向擊穿電壓之後，二極體將發生擊穿現象。二
（1）雪崩擊穿
對於摻雜濃度較低的pn結，結較厚，當外加反向電壓高到一定數值時，因外電場過強，使pn結內少數載流子獲得很大的動能而直接與原子碰撞，將原子電離，產生新的電子空穴對，由於鏈鎖反應的結果，使少數載流子數目急劇增多，反向電流雪崩式地迅速增大，這種現象叫雪崩擊穿。雪崩擊穿通常發生在高反壓、低摻雜的情況下。
（2）齊納擊穿
對於採用高摻雜（即雜質濃度很大）形成的pn結，由於結很薄（如0.04μm）即使外加電壓並不高（如4v），就可產生很強的電場（如
（3）熱擊穿
在使用二極體的過程中，如由於pn結功耗（反向電流與反向電壓之積）過大，使結溫公升高，電流變大，迴圈反覆的結果，超過pn結的允許功耗，使pn結擊穿的現象叫熱擊穿。熱擊穿後二極體將發生永久性損壞。
對於矽pn結，擊穿電壓在7v以上的為雪崩擊穿；4v以下的為齊納擊穿；在。4～7v之間的兩種情況都有。無論哪種擊穿，只要控制反向電流的數值不致引起熱擊穿，當反向電壓下降到擊穿電壓以下，其效能可以恢復到未擊穿前的狀況。
2. 穩壓管的擊穿特性穩壓管的正向特性與一般二極體相同，而反向擊穿特性很陡峭。
3. 穩壓管的主要引數
（1） 穩定電壓vzvz
穩壓管反向擊穿後其電流為規定值時它兩端的電壓值。不同型號的穩壓管其
vz的範圍不同；同種型號的穩壓管也常因工藝上的差異而有一定的分散性。所以，
vz一般給出的是範圍值，例如
2cw11的
vz在3.2～4.5v （測試電流為10ma）。當然，二極體（包括穩壓管）的正嚮導通特性也有穩壓作用，但穩定電壓只有0.6～0. 8v，且隨溫度的變化較大，故一般不常用。
（2）穩定電流izi
z是指穩壓管正常工作時的參考電流。
iz 通常在最小穩定電流
izmin與最大穩定電流
izmax之間。其中
izmin 是指穩壓管開始起穩壓作用時的最小電流，電流低於此值時，穩壓效果差；
izmax是指穩壓管穩定工作時的最大允許電流，超過此電流時，只要超過額定功耗，穩壓管將發生永久性擊穿。故一般要求
izmin
＜ iz ＜ i
zmax 。
（3）動態電阻rzr
z是指在穩壓管正常工作的範圍內，電壓的微變數與電流的微變數之比。
rz 越小，表明穩壓管效能越好。
（4）額定功耗p
zpz是由管子溫公升所決定的引數， pz
＝vzizmax 。
（5）溫度係數αα是指
vz受溫度影響的程度。矽穩壓管在vz
＜4v時α＜0；在vz
＞7v時，
α＞0；在vz
= 4～7v時，α很小
穩壓二極體
基本釋義 穩壓二極體，是指利用pn結反向擊穿狀態，其電流可在很大範圍內變化而電壓基本不變的現象，製成的起穩壓作用的二極體。原理 穩壓二極體的伏安特性曲線的正向特性和普通二極體差不多，反向特性是在反向電壓低於反向擊穿電壓時，反向電阻很大，反向漏電流極小。但是，當反向電壓臨近反向電壓的臨界值時，反向電流...
穩壓二極體使用
穩壓二極體 zener diode 也稱齊納二極體，與普通二極體不同的是，穩壓二極體工作在反向擊穿狀態時，它的工作電流在很大範圍內變化而其兩端的電壓基本不變。穩壓二極體 zener diode 也稱齊納二極體，與普通二極體不同的是，穩壓二極體工作在反向擊穿狀態時，它的工作電流在很大範圍內變化而其兩端...
穩壓二極體選型
併聯型電壓保護器件，利用其反向工作的原理 在電路中是反接併聯 當反向電壓不超過擊穿電壓時不工作 而當達到擊穿電壓時 精度不是很高 迅速導通 電阻較小 從而使系統總電阻減小，電流增加，前端的限流電阻分壓增加，後端併聯電壓減小，恢復到正常不工作狀態。主要根據穩壓值，功率來選 主要引數特性 1 動態電阻 ...