基於SST25VF020的資料儲存系統設計

前言

晶元介紹

晶元引腳介紹

sst25vf020是sst25vf系列產品中的一員，其晶元具有以下特點：總容量為2m；單電源讀和寫操作，工作電壓為2.7-3.3v；低功耗，工作電流為7ma，等待電流為3μa；時鐘頻率高達33mhz，快速程式設計、快速擦除、快速讀取；小型一致閃區尺寸4kb；資料儲存100年；cmos i/o相容等。

狀態暫存器

狀態暫存器用來對晶元的工作模式進行設定，在工作過程中，可以提供晶元的工作狀態，比如讀、寫、寫保護等。

工作過程

首先設定狀態暫存器，對flash的工作模式、寫使能以及寫保護區域進行設定。在讀寫的過程中，還可以通過讀暫存器內容來判斷flash當前的工作狀態。設定結束後，可以開始讀寫操作。

寫操作選用自動位址增值寫入（aai）模式，這種模式在寫入大量資料時可以縮短程式執行時間。在寫操作中，首先寫入寫使能命令字（0x06），aai模式以af為寫命令，順序寫入儲存起始位址和儲存資料，每傳送完一位元組的資料時，時鐘位置高，為寫下一位元組資料做準備。當資料全部寫入時，寫終止寫使能命令字（0x04），寫操作結束。在整個寫過程中，狀態暫存器中的busy位始終為1，寫操作結束後，busy自動復位。

讀操作

在讀操作中，首先寫入讀命令字（0x03），然後寫入讀取資料的起始位址，資料會順序讀出，直至讀完。如果位址累加至7ffff，下次資料讀取會從00000位址開始。在整個讀過程中，狀態暫存器中的busy位始終為1，寫操作結束後，busy自動復位。

擦除操作

sst25vf020提供3種晶元擦除方式：扇區擦除、塊擦除和全擦除。命令字分別為0x20、0x52、0x60，可分別實現不同範圍的擦除。在整個擦除過程中，狀態暫存器中的busy位始終為1，擦除操作結束後，busy自動復位。

硬體電路

系統控制器選用msp430f149微控制器，對溫度感測器訊號進行模數轉換後取樣，將採集到的資料通過spi序列通訊儲存到flash中。當系統通過非同步串列埠和pc機相連時，通過spi序列通訊將儲存到flash中的資料讀到pc機中，從而對採集的資料進行分析、處理。將採集到的資料儲存後，即可擦除flash，為下一次採集做準備。儲存電路連線如圖4所示。通過上拉電阻將ce#、so端的初始狀態置為高電平，寫保護端始終為高電平。相應的輸入輸出端、時鐘訊號端和使能端分別和微控制器介面相連。

關鍵源程式

case 0x03: /* 讀資料 */

txbuf1 =0x03; // 發讀命令字

while (ifg2&0x20==0x00); // 傳送完否？

for(i=0;i<=2;i++) /* 傳送位址 */

//傳送完否?

for(i=0;i<=19;i++) /* 讀取資料 */

//存放讀取的資料

delay(2) ;

p5out |=0x01 ; // 拉高 ste1

delay(200) ;

break;

case 0xaf: /* aai 模式寫資料 */

p5out &=~0x01 ; // 拉底 ste1

delay(2) ;

txbuf1 =0x06 ; /* write enable */

while (ifg2&0x20==0x00); // 傳送完否？

delay(2) ;

p5out |=0x01 ; // 拉高 ste1

delay(12);

p5out &=~0x01 ; // 拉底 ste1

delay(2) ;

txbuf1 =0xaf; // 發寫命令字

while (ifg2&0x20==0x00); // 傳送完否？

for(i=0;i<=2;i++) /* 傳送位址 */

//傳送完否？

for(i=0;i<=19;i++)

// 傳送完否？

delay(2) ;

p5out |=0x01 ; // 拉高 ste1

delay(12);

p5out &=~0x01 ; // 拉底 ste1

delay(2) ;

txbuf1 =0x04 ; // /* 結束aai模式*/

while (ifg2&0x20==0x00); // 傳送完否?

delay(2) ;

p5out |=0x01 ; // 拉高 ste1

break；

總結

基於SST25VF020的資料儲存系統設計

GOOGLE搜尋從入門到精通v2 5 轉）

基於matlab的音訊波形實時採集顯示 v0 1

基於Streaming I O的V4L2裝置使用

基於SST25VF020的資料儲存系統設計

GOOGLE搜尋從入門到精通v2 5 轉）

基於matlab的音訊波形實時採集顯示 v0 1

基於Streaming I O的V4L2裝置使用

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