使用該例子做移植時，出現了形形色色的問題，按我最原始的想法，是將w25x16分成幾個區域， 如下圖：
0x00000 ~ 0x00fff (4k) 作為頭資訊，0x01000 ~ 0x01fff (4k) 作為配置資訊，0x02000 ~ 0x03ffff (256k) 作為保留區域，從0x100000 ~ 0x1fffff (1m)作為資料區，以後還可以擴充套件成其他型號flash。
看似簡單的問題，其實也確實挺簡單，但因為對神舟iv所帶的flash操作函式不熟悉，導致出現奇怪的問題。
w25x16 分為幾個部分，1個塊等於64k，包含16個扇區，每個扇區是4k。 乙個扇區包含16個頁，每個頁是256個位元組。 有三種擦除方式，第一是整個晶元擦除 (chip erase)，w25x16差不多需要20幾秒。 塊擦除神舟庫函式沒有實現，扇區擦除是毫秒級別。
對於flash的操作，最重要的就是先擦除，否則寫進去的資料是錯誤的。測試情況也是如此。
spi_flash_sectorerase 這個函式用於擦除乙個扇區（4k），引數我錯誤的認為是擦除第n個扇區，蹭這樣使用 spi_flash_sectorerase(1)，這明顯是擦除第乙個扇區，這還引起了我迷惑了很久的乙個問題，為什麼每次寫入conf區後，header的資料就不正確了。還出現過寫入4k的資料，只有前面一部分是正常的，也是因為擦除的區域錯誤引起。
主要是它的引數其實還是乙個位址。如，要操作conf區域，就得先使用spi_flash_sectorerase(0x1000)，這裡使用spi_flash_sectorerase(0x1fff)也是可以的，只要沒有操過扇區的邊界。如spi_flash_sectorerase(0x2000)就不行了，很明顯已經是擦除第二個扇區了，如果仍然是往0x1000位址區寫入資料，讀出來的可能就是錯誤資料。使用spi_flash_bufferwrite函式，對於讀取和寫入的資料大小，可以比較隨意，幾個位元組也是可以的。但如果是用於做資料儲存，跟eeprom就有很大區別，不能簡單的通過移動指標來訪問資料，它需要整塊整塊的來儲存。
使用flash做資料儲存，而且資料量比較大，考慮到flash本身擦些次數有限 100000次左右，暫不考慮頁擦除方式，採用扇區方式，自然就得至少分配4k的緩衝來作為儲存。初步想法是在收到訊號後插入到緩衝，在主迴圈中呼叫函式監控資料，待到滿足4k大小時，就寫入到flash，這裡不能簡單這樣寫入，需要先讀出來一次，並檢測該扇區是否還存在空閒位置並做相應的處理。還提供一種方式，用於立即寫入flash，少量資料時也寫入到flash，這樣防止資料因為數量問題丟失。