嵌入式記憶體布局

2021-06-01 10:40:36 字數 822 閱讀 2639

從事手機平台研發也有一年多了,總結了一下有關手機記憶體方面的知識希望對新手有所裨益。如果有高手路過檢視之餘如有紕漏之處還請不吝賜教~

說明:傳統「燒機」流程將軟體燒錄到flash中,軟體bootloader部分在nor flash中, 軟體的其他部分燒錄到nand flash 。

強調一點:上圖左邊部分是flash仍是由nor flash和nand flash兩部分組成, 從軟體的角度我粗略地分成了ro和rw 。  ro部分具有「唯讀」屬性,通常包含指令**(指令當然是唯讀的啦)和宣告成const的全域性資料。rw具有「讀寫」屬性,一般包含初始值非零的全域性資料。當然還有zi段, zi段包含初始值為零的全域性資料,因為都是0所以在燒機到flash的時候沒有必要占有實際的空間。

「加電開機」過程將rw段拷貝到ram中,zi段也將在這裡占有實際的空間。那麼剩餘的部分可以用作執行緒棧和堆(一般實際系統中堆都是用乙個大的全域性陣列分配出來了所以可以說堆是在zi部分)。注意到在最後面有乙個」co_f_nand」是」copy from nand flash」的簡寫(下圖中會做說明)。

說明: 上圖中flash分成了nor flash和nand flash兩段。nor flash除了具有一

般flash掉電不丟失資料、可讀可寫的特點外, 它的讀取和sdram以及sram是一樣的. 可以直接執行裝載在nor flash裡面的**,因此我們將bootloader部分燒錄到nor flash中。 而nand flash讀寫是按塊的,通常每塊的大小是512位元組。 nand flash裡面的指令通常要預載入到sdram中,再由cpu取指。需要特別注意的是一般嵌入式系統會從nand flash劃分出一段作為硬碟使用(因為它完全滿足硬碟的特點:按塊「讀寫」,掉電不丟失。)

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