nor和nand是現在市場上兩種主要的非易失快閃儲存器技術。intel於2023年首先開發出nor flash技術，徹底改變了原先由eprom和eeprom一統天下的局面。緊接著，2023年，東芝公司發表了nand flash結構，強調降低每位元的成本，更高的效能，並且象磁碟一樣可以通過介面輕鬆公升級。但是經過了十多年之後，仍然有相當多的硬體工程師分不清nor和nand快閃儲存器。
相「flash儲存器」經常可以與相「nor儲存器」互換使用。許多業內人士也搞不清楚nand快閃儲存器技術相對於nor技術的優越之處，因為大多數情況下快閃儲存器只是用來儲存少量的**，這時nor快閃儲存器更適合一些。而nand則是高資料儲存密度的理想解決方案。
nor的特點是晶元內執行(xip, execute in place)，這樣應用程式可以直接在flash快閃儲存器內執行，不必再把**讀到系統ram中。
nor的傳輸效率很高，在1～4mb的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的效能。
nand結構能提供極高的單元密度，可以達到高儲存密度，並且寫入和擦除的速度也很快。應用nand的困難在於flash的管理和需要特殊的系統介面。
效能比較
flash快閃儲存器是非易失儲存器，可以對稱為塊的儲存器單元塊進行擦寫和再程式設計。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行，所以大多數情況下，在進行寫入操作之前必須先執行擦除。nand器件執行擦除操作是十分簡單的，而nor則要求在進行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫為0。
由於擦除nor器件時是以6?～128kb的塊進行的，執行乙個寫入/擦除操作的時間為5s，與此相反，擦除nand器件是以8～32kb的塊進行的，執行相同的操作最多隻需要4ms。
執行擦除時塊尺寸的不同進一步拉大了nor和nadn之間的效能差距，統計表明，對於給定的一套寫入操作(尤其是更新小檔案時更多的擦除操作必須在基於nor的單元中進行。這樣，當選擇儲存解決方案時，設計師必須權衡以下的各項因素。
● nor的讀速度比nand稍快一些。
● nand的寫入速度比nor快很多。
● nand的4ms擦除速度遠比nor的5s快。
● 大多數寫入操作需要先進行擦除操作。
● nand的擦除單元更小，相應的擦除電路更少。
介面差別
nor flash帶有sram介面，有足夠的位址引腳來定址，可以很容易地訪問其內部的每乙個位元組。
nand器件使用複雜的i/o口來序列地訪問資料，各個產品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、位址和資料資訊。
nand讀和寫操作採用512位元組的塊，這一點有點像硬碟管理此類操作，很自然地，基於nand的儲存器就可以取代硬碟或其他塊裝置。
容量和成本
nand flash的單元尺寸幾乎是nor器件的一半，由於生產過程更為簡單，nand結構可以在給定的模具尺寸內提供更高的容量，也就相應地降低了**。
nor flash佔據了容量為1～16mb快閃儲存器市場的大部分，而nand flash只是用在8～128mb的產品當中，這也說明nor主要應用在**儲存介質中，nand適合於資料儲存，nand在compactflash、secure digital、pc cards和mmc儲存卡市場上所佔份額最大。
可靠性和耐用性
採用flahs介質時乙個需要重點考慮的問題是可靠性。對於需要擴充套件mtbf的系統來說，flash是非常合適的儲存方案。可以從壽命(耐用性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較nor和nand的可靠性。
壽命(耐用性)
在nand快閃儲存器中每個塊的最大擦寫次數是一百萬次，而nor的擦寫次數是十萬次。nand儲存器除了具有10比1的塊擦除週期優勢，典型的nand塊尺寸要比nor器件小8倍，每個nand儲存器塊在給定的時間內的刪除次數要少一些。
位交換所有flash器件都受位交換現象的困擾。在某些情況下(很少見，nand發生的次數要比nor多)，乙個位元位會發生反轉或被報告反轉了。
一位的變化可能不很明顯，但是如果發生在乙個關鍵檔案上，這個小小的故障可能導致系統停機。如果只是報告有問題，多讀幾次就可能解決了。
當然，如果這個位真的改變了，就必須採用錯誤探測/錯誤更正(edc/ecc)演算法。位反轉的問題更多見於nand快閃儲存器，nand的**商建議使用nand快閃儲存器的時候，同時使用edc/ecc演算法。
這個問題對於用nand儲存多**資訊時倒不是致命的。當然，如果用本地儲存裝置來儲存作業系統、配置檔案或其他敏感資訊時，必須使用edc/ecc系統以確保可靠性。
壞塊處理
nand器件中的壞塊是隨機分布的。以前也曾有過消除壞塊的努力，但發現成品率太低，代價太高，根本不划算。
nand器件需要對介質進行初始化掃瞄以發現壞塊，並將壞塊標記為不可用。在已製成的器件中，如果通過可靠的方法不能進行這項處理，將導致高故障率。
易於使用
可以非常直接地使用基於nor的快閃儲存器，可以像其他儲存器那樣連線，並可以在上面直接執行**。
由於需要i/o介面，nand要複雜得多。各種nand器件的訪問方法因廠家而異。
在使用nand器件時，必須先寫入驅動程式，才能繼續執行其他操作。向nand器件寫入資訊需要相當的技巧，因為設計師絕不能向壞
塊寫入，這就意味著在nand器件上自始至終都必須進行虛擬對映。
軟體支援
當討論軟體支援的時候，應該區別基本的讀/寫/擦操作和高一級的用於磁碟**和快閃儲存器管理演算法的軟體，包括效能優化。
在nor器件上執行**不需要任何的軟體支援，在nand器件上進行同樣操作時，通常需要驅動程式，也就是記憶體技術驅動程式(mtd)，nand和nor器件在進行寫入和擦除操作時都需要mtd。
使用nor器件時所需要的mtd要相對少一些，許多廠商都提供用於nor器件的更高階軟體，這其中包括m-system的trueffs驅動，該驅動被wind river system、microsoft、qnx software system、symbian和intel等廠商所採用。
驅動還用於對diskonchip產品進行**和nand快閃儲存器的管理，包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。
NAND和NOR flash的區別
nor和nand是現在市場上兩種主要的非易失快閃儲存器技術。intel於1988年首先開發出nor flash技術，徹底改變了原先由eprom和eeprom一統天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發表了nand flash結構，強調降低每位元的成本，更高的效能，並且象磁碟一樣可以通過介面輕鬆公升...
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NAND和NOR flash的區別
今天和廠商的交流中學習了一些nand和nor的內容，之後又從網上看了些資料完善了相關的內容。1 flash的基本儲存單元是浮動柵極場效電晶體 floating gate fet 浮柵fet的基本原理就是在普通的fet中設定了乙個浮動柵極，通過對浮動柵極電荷的注入可以控制ds之間通道的導通。當浮柵中注...