快閃儲存器(flash memory)是非揮發儲存的一種，具有關掉電源仍可儲存資料的優點，同時又可重複讀寫且讀寫速度快、單位體積內可儲存最多資料量，以及低功耗特性等優點。 其儲存物理機制實際上為一種新型eeprom（電可擦除可程式設計唯讀儲存）。是scm（半導體儲存器）的一種。
早期的scm採用典型的電晶體觸發器作為儲存位元，加上選擇、讀寫等電路構成儲存器。現代的scm採用超大規模積體電路工藝製成儲存晶元，每個晶元中包含相當數量的儲存位元，再由若干晶元構成儲存器。目前scm廣泛採用的主要材料是金屬氧化物場效電晶體（mos），包括pmos、nmos、cmos三類，尤其是nmos和cmos應用最廣泛。
ram（隨機訪問儲存），是一種半導體儲存器。必須在通電情況下工作，否則會喪失儲存資訊。ram又分為dram（動態）和sram（靜態）兩種，我們現在普遍使用的pc機記憶體即是sdram（同步動態ram），它在執行過程當中需要按一定頻率進行充電（重新整理）以維持資訊。ddr ddr2記憶體也屬於sdram。而sram不需要頻繁重新整理，成本比dram高，主要用在cpu整合的快取（cache）上。
prom（可程式設計rom）則只能寫入一次，寫入後不能再更改。
eprom（可擦除prom）這種eprom在通常工作時只能讀取資訊，但可以用紫外線擦除已有資訊，並在專用裝置上高電壓寫入資訊。
eeprom（電可擦除prom），使用者可以通過程式的控制進行讀寫操作。
快閃儲存器實際上是eeprom的一種。一般mos閘極(gate)和通道的間隔為氧化層之絕緣(gate oxide)，而flash memory的特色是在控制閘(control gate)與通道間多了一層稱為「浮閘」(floating gate)的物質。拜這層浮閘之賜，使得flash memory可快速完成讀、寫、抹除等三種基本操作模式；就算在不提供電源給儲存的環境下，也能透過此浮閘，來儲存資料的完整性。
u盤是快閃儲存器的一種。
flash memory晶元中單元格裡的電子可以被帶有更高電壓的電子區還原為正常的1。flash memory採用內部閉合電路，這樣不僅使電子區能夠作用於整個晶元，還可以預先設定「區塊」(block)。在設定區塊的同時就將晶元中的目標區域擦除乾淨，以備重新寫入。傳統的eeprom晶元每次只能擦除乙個位元組，而flash memory每次可擦寫一塊或整個晶元。flash memory的工作速度大幅領先於傳統eeprom晶元。
msm（磁表面儲存）是用非磁性金屬或塑料作基體，在其表面塗敷、電鍍、沉積或濺射一層很薄的高導磁率、硬矩磁材料的磁面，用磁層的兩種剩磁狀態記錄資訊"0"和"1"。基體和磁層合稱為磁記錄介質。依記錄介質的形狀可分別稱為磁卡儲存器、磁帶儲存器、磁鼓儲存器和磁碟儲存器。計算機中目前廣泛使用的msm是磁碟和磁帶儲存器。硬碟屬於msm裝置。
odm（光碟儲存）和msm類似，也是將用於記錄的薄層塗敷在基體上構成記錄介質。不同的是基體的圓形薄片由熱傳導率很小，耐熱性很強的有機玻璃製成。在記錄薄層的表面再塗敷或沉積保護薄層，以保護記錄面。記錄薄層有非磁性材料和磁性材料兩種，前者構成光碟介質，後者構成磁光碟介質。
odm是目前輔存中記錄密度最高的儲存器，儲存容量很大且碟片易於更換。缺點是儲存速度比硬碟低乙個數量級。現已生產出與硬碟速度相近的odm。cd-rom、***-rom等都是常見的odm。
RAM ROM和硬碟的區別
很久就對儲存相關的介質感興趣，一直不清楚電腦裡的儲存介質，比如 硬碟，光碟，記憶體，快取都是什麼？手機上的記憶體和儲存又是什麼？u盤又是什麼介質？這些都困擾著我，重點是我還是嵌入式的，這就很尷尬了。計算機的儲存器分為主儲存器和輔助儲存器，主儲存器又稱記憶體儲器 簡稱記憶體 輔助儲存器又稱外儲存器 簡...
ubuntu掛載U盤和硬碟
先用fdisk l 命令檢視分割槽 掛載ntfs分割槽 假設 dev hda1是windows分割槽 ntfs 的位置，而要掛載的目錄是 media windows sudo mkdir media windows sudo mount dev hda1 media windows t ntfs o...
U盤 硬碟的「有效清除」
還有一種更快 更好程式設計的方法，同樣也適用於硬碟移動盤。不過，一般作為清除物件時，要將其作為從盤或者是非系統盤，否則系統就會崩了，連資料恢復的可能都沒有。具體方法是 1 先從dbr dos boot record作業系統引導記錄區 得到分割槽的大小 資料區的起始位置。2 從資料區開始填充無意義的資...